SiC SBD

[規(guī)格型號]V:600V-1200V 1:2A-120A

[應用領域]電源PFC、充電樁、光伏逆變器、微型逆變器、數據中心服務器電源、新能源汽車、儲能、UPS、工業(yè)變頻等。

[產品特點]SiC SBD具有無反向恢復電流、超高工作頻率、正溫度系數的正向壓降等優(yōu)勢。sic器件與Si器件相比開關損耗降低30%以上，可提升整體系統(tǒng)效率2%以上。

[芯塔優(yōu)勢] 芯塔電子第五代SiC SBD基于自主開發(fā)的XQ2.0技術平臺，產品具有低正向壓降、高浪涌電流和雪崩能力等技術優(yōu)勢。

SiC MOSFET

[規(guī)格型號] Vs:650V-3300V Rs(:15-5000mQ

[應用領域]新能源汽車、工業(yè)變頻、充電樁、光伏逆變器、儲能、UPS等領域

[產品特點]SiC MOSFET具有高耐壓、低導通電阻、高可靠性高開關頻率的性能優(yōu)勢。sic器件與Si器件相比開關頻率提高5倍以上，開關損耗降低50%以上，系統(tǒng)體積可減小50%以上。新能源汽車電機控制器中應用Sic器件續(xù)航里程增加10%左右。

[芯塔優(yōu)勢]芯塔電子第二代Si MOSFET基于自主開發(fā)的XM 2.0技術平臺，產品具有精細結構設計、低比導通電阻和低優(yōu)值因子(Q*R。)等技術優(yōu)勢。

SiC Module